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| ICT原理介绍 |
一.隔離 ( Guarding )原理
隔離為ICT量測很重要的一種應用技術，乃是將待測零件相連接的零件給予隔離，使待測零件的量測不受影響，如下圖所示，應用運算放大器設計之電壓隨耦器，使輸出電壓 ( VG )與其輸入電壓 ( VA )相等，及運算放大器之兩輸入端間虛地 ( Virtual Ground )的原理，使得與待測零件相連的零件之兩端同電位，而不會產生分流來影響待測零件的量測，如同是已將將待測零件相連接的零件給予隔離。
經由隔離之實施後，流經R1的電流幾近零，不致影響R之量測。
由於VG=VA，因此I3=0 所以R1=V/I1 隔離 ( Guarding )基本原理圖
定電流測量法
如下圖所示，為被使用測量大電阻的測量法，乃是應用歐姆定律 ( Ohm’s Law )：R = V / I，提供定電流源至待測電阻，再由其兩端所量測之電壓值，來計算待測電阻之阻值。
定電流/電壓測量法
如下圖所示，為常被使用之電阻的測量法，乃是應用反相放大器 ( Inverting Amplifier )原理：Vo = -Vi * Rf / R，計算出待測電阻Rdut= -Vi * Rf / Vi。
二.電容器的測試原理
定電壓測量 ( MODE C )
如上圖所示應用運算放大器 ( OPA )之反相放大原理：Vo = -V * R / Xc，其中Xc =1/ ( 2fC )乃電容所產生的電抗，f為交流定電壓的頻率，再以角加速度『 = 2f』來代表，則可由公式：C ＝ -Vo / ( V * * R )，來計算出電容之值
定電流測量 ( MODE C )
當電容值為10uF以上時，電腦會自動設定DC電容量測法。此法是用DC定電流來使待測電容充電，然後由充電的時間可算出電容值。
如上圖所示由於在充電電壓與其充電時間成線性關係，故可由其斜率，來計算出待測電容之值。
三.電感器的測試原理
定電壓測量 ( MODE L )
如上圖所示應用運算放大器 ( OPA )之反相放大原理：Vo = -V * R / XL，其中XL = ( 2fL )乃電感所產生的電抗，f為交流定電壓的頻率，再以角加速度『 = 2f』來代表，則可由公式：L ＝- V * R / ( * V0 )，來計算出電感之值。
四.普通二極體的測試方法 (MODE D)
二極體採用如下圖所示之順向電壓測量法，來辨別二極體的好壞，正常的矽 ( Silicon )二極體之順向電壓約為0.7V，而鍺 ( Germanium )二極體之順向電壓約為0.3V。
五.電晶體的測量原理 ( 三端點 ) ( MODE TR )
電晶體的測量方法如下圖從電晶體的基極 ( Base )送脈波電壓，由於電晶體工作於飽和狀態 ( Saturation Status )時集極與射極之間所測量的電壓 ( Vce )會小於0.2V以下，因此可藉之來辨別電晶體的好壞。
六.短/開路的測試原理 ( Open/Short Test )
學習短路表 ( Learning Short Pin Group Table )
短／開路 ( Open/Short ) 的測試資料可由學習一個良品的電路板而得。當學習時，電腦會測量任意兩個測試點 ( Test point )之間的阻值，然後產生一個短路表 ( Short Pin Group Table )，學習時，任意兩點間的阻值小於20Ω(初使值)即被判定兩點間為短路，否則為開路。
短/開路測試
短／開路測試是根據上述短路表的資料來做測試；先做短路測試 ( Short Test )再做斷路測試 ( Open Test )，說明如下 ：
開路測試是測試在同一短路群 ( Short Pin Group )裏的每一測試點間 ( Test point )是否有斷路現象，判別開路的基準阻值是80Ω(初使值)；也就是說任意二點間的阻值如果大於80Ω(初使值)，則被判定為開路錯誤 ( Open Fail )。 短路測試是測試任意一短路群的測試點和其他短路群的測試點之間，是否有短路現象，判別短路的基準是5Ω(初使值)；也就是說，如果任意兩點間的阻值是小於5Ω(初使值)，則被判定為短路錯誤 ( Short Fail )。
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